Er samler- og emitterterminalene til en transistor utskiftbare? Hvis ikke, hva er den fysiske forskjellen mellom senderen og samleren?


Svar 1:

Lånt fra:

http: //www.nptel.ac.in/courses/1 ...

Biploar transistor:

En transistor er i utgangspunktet en Si- eller Ge-krystall som inneholder tre separate regioner. Det kan være enten NPN eller PNP type fig. 1. Midtregionen kalles basen og de ytre to områdene kalles emitter og samleren. De ytre lagene, selv om de er av samme type, men deres funksjoner kan ikke endres. De har forskjellige fysiske og elektriske egenskaper. I de fleste transistorer er emitter kraftig dopet. Dens jobb er å avgi eller injisere elektroner i basen. Disse basene er lett dopet og veldig tynne, den fører de fleste emitterinjiserte elektronene videre til samleren. Dopingnivået på samleren er mellomliggende mellom den tunge dopingen av emitter og den lette dopingen av basen. Samleren er så navngitt fordi den samler elektroner fra basen. Samleren er den største av de tre regionene; den må spre mer varme enn emitteren eller basen. Transistoren har to veikryss. En mellom emitter og sokkel og en annen mellom sokkel og oppsamler. På grunn av dette er transistoren lik to dioder, en emitteringsdiode og annen samlerbasisdiode.

Figur 1

Når transistor lages, produserer diffusjon av frie elektroner over krysset to utarmingslag. For hvert av disse utarmingslagene er sperrepotensialet 0,7 V for Si-transistor og 0,3 V for Ge-transistor. Utarmingslagene har ikke samme bredde, fordi forskjellige regioner har forskjellige dopingnivåer. Jo mer dopet en region er, jo større er konsentrasjonen av ioner i nærheten av krysset. Dette betyr at utarmingslaget trenger dypere ned i basen og litt inn i emitteren. Tilsvarende trenger det mer inn i samleren. Tykkelsen på oppsamlingsutarmingssjiktet er stor, mens bunnutarmingslaget er lite som vist på fig. 2.

Fig. 2


Svar 2:

De vil ha forskjellige dopingegenskaper. Kanskje viktigere er at samleren vil spre mer av spillvarmen og har derfor en lavere termisk motstandsbane til saken. Hvis jeg husker riktig fra mitt halvlederkurs for elektronisk utstyr for 30 år siden, er det fysiske forskjeller i størrelsen på basene som sender ut krysset i motsetning til basissamleren.

Jeg tror transistoren vil fungere omvendt, men ikke bra. Hvis du virkelig var nysgjerrig, kan du alltid ta to små signaltransistorer og generere kurver for begge. Neste reversere en av dem og kjør et nytt sett med kurver. Min spådom er at den reverserte transistoren har lavere forsterkning og mer lekkasje samt et større, kanskje permenant, skifte i egenskaper med varme.


Svar 3:

De vil ha forskjellige dopingegenskaper. Kanskje viktigere er at samleren vil spre mer av spillvarmen og har derfor en lavere termisk motstandsbane til saken. Hvis jeg husker riktig fra mitt halvlederkurs for elektronisk utstyr for 30 år siden, er det fysiske forskjeller i størrelsen på basene som sender ut krysset i motsetning til basissamleren.

Jeg tror transistoren vil fungere omvendt, men ikke bra. Hvis du virkelig var nysgjerrig, kan du alltid ta to små signaltransistorer og generere kurver for begge. Neste reversere en av dem og kjør et nytt sett med kurver. Min spådom er at den reverserte transistoren har lavere forsterkning og mer lekkasje samt et større, kanskje permenant, skifte i egenskaper med varme.